A RIE-eljárás (Reaktív ionmaratás) egy száraz maratási eljárás, amelyet elsősorban az elektronikai és mikroelektronikai gyártásban alkalmaznak a felület gyors tisztítására vagy aktiválására, a fotoreziszt hamvasztására vagy a félvezető ostyákon lévő áramkörök strukturálására.

Erre a célra általában úgynevezett síklemezes reaktort használnak, amint azt az 1. ábra vázlatosan mutatja. Ha az elektródákra nagyfrekvenciás váltakozó feszültséget kapcsolunk 10-2 és 10-1 mbar közötti negatív nyomáson, akkor kisnyomású gázkisülés (plazma) gyullad be. A plazmában lévő töltött gázrészecskék (nehézionok, könnyű elektronok) eltérő mozgékonysága miatt a kisebbik elektródon negatív potenciál, az ún. önelőfeszítő potenciál alakul ki. Ez néhány 10 és néhány 100 volt közötti tartományban van.

A kisebb elektródon fekvő szubsztrátokon (ostyák, nyomtatott áramköri lapok stb.) a megfelelő technológiai gázok használata esetén két hatás játszódik le:

1. A szubsztrát felületének vagy a meglévő szennyeződéseknek a plazmából származó reaktív részecskékkel való reakció révén történő kémiai eltávolítása (plazma maratás)
2. Fizikai eltávolítás az elektromos térben felgyorsított ionok közvetlen impulzusátvitele révén a felületre (porlasztómaratás)

A RIE eljárás egyesíti mindkét hatás előnyeit: nagy szelektivitás, nagy maratási sebesség és anizotróp eltávolítás.